SLC NAND闪存并行3.3V 8G位1G x 8 48针TSOP-I托盘欧盟RoHS合规 ECCN（美国）3A991.b.1.a部分状态过时的HTS8542.32.00.71细胞类型SLC NAND芯片密度（位）8G建筑扇形引导块没有阻止组织对称地址总线宽度（位）三十行业规模512Kbyte x 2048页面大小4K字节位数/字（位）8字数…
SLC NAND闪存并行3.3V 2G位256M x 8 48针TSOP-I托盘欧盟RoHS合规 ECCN（美国）3A991.b.1.a部分状态NRNDHTS8542.32.00.71细胞类型SLC NAND芯片密度（位）2G建筑扇形引导块是阻止组织对称地址总线宽度（位）29行业规模128Kbyte x 2048页面大小2K字节位数/字（位）8字数256M…
DRAM类型DDR2 SDRAM芯片密度（位）2G组织128Mx16内部银行数量8每个银行的字数16M位数/字（位）16数据总线宽度（位）16最大时钟频率（MHz）800最大访问时间（ns）0.4地址总线宽度（位）17接口类型SSTL_18最低工…
低电源电压范围: 1.8V 至 3.6V超低功耗运行模式：365μA （在 1MHz 频率和 2.2V 电压条件下）待机模式 (VLO)：0.5μA关断模式 （RAM 保持）：0.1μA可在不到 1μs 的时间里从待机模式唤醒16 位精简指令集 (RISC) 架构，62.5ns 指令周期时间3 通道内部直接内存访问 (DMA)带…
低电源电压范围：1.8V 至 3.6V超低功耗激活模式 (AM)：所有系统时钟激活：在 8MHz、3.0V 且闪存程序执行时为 270A/MHz（典型值）待机模式 (LPM3)：带有晶振的看门狗和电源监视器工作、完全 RAM 保持、快速唤醒：2.2V 时为 1.8A，3.0V 时为 2.1A（典型值）关断实时时钟 (R…
欧盟RoHS符合豁免 ECCN（美国）EAR99部分状态活性HTS8533.40.80.70类型微调电阻值（欧姆）100K公差10％最大额定电压（V）300额定功率（W）0.5（1/2）技术金属陶瓷最低工作温度（C）-55最高工作温度（C）125温度系数（ppm /C）100线性或对数林终止风格销调整的位置最佳轴直…
欧盟RoHS符合豁免 ECCN（美国）EAR99部分状态活性HTS8533.40.80.70类型微调电阻值（欧姆）10K公差10％最大额定电压（V）300额定功率（W）0.5（1/2）技术金属陶瓷最低工作温度（C）-55最高工作温度（C）125温度系数（ppm /C）100线性或对数林终止风格销调整的位置最佳轴直…
欧盟RoHS合规 ECCN（美国）EAR99部分状态活性HTS8504.32.00.00变压器类型10/100卡LAN磁性模块变压器转动比率2（1：1）高潜力1500VRMS最小串扰（dB）-35 @ 100MHz的最小CMRR（dB）-30 @ 100MHz的最小回波损耗（dB）-12 @ 80MHz的最大插入损耗（dB）-1@0.1MHz至100MHz领导风…
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Arm Cortex-A15 RISC CPU 及 Neon™扩展和 TI C66x VLIW 浮点 DSP Arm Cortex-A15 微处理器子系统C66x 浮点超长指令字 (VLIW) 数字信号处理器 (DSP)目标代码与 C67x 和 C64x+ 完全兼容每周期最多 32 次 16 x 16 位定点乘法高达 512KB 的片上 L3 RAM3 级 (L3) 和 4 级 (L4…
AM570x Sitara Arm 应用 处理器旨在满足现代嵌入式产品对于处理性能的强烈需求。Arm Cortex-A15 微处理器子系统C66x 浮点超长指令字 (VLIW) 数字信号处理器 (DSP)目标代码与 C67x 和 C64x+ 完全兼容每周期最多 32 次 16 x 16 位定点乘法高达 512KB 的片上 L3 RAM3 级 (L3…
KLM8G1GEME-B041
TMS320C6678多核定点浮点数字信号处理器是基于TI的梯形多核结构。与8个C66x CorePac dsp集成，每个核心运行在1.0到1.25 GHz之间，支持高达10 GHz。该设备支持高性能的信号处理应用，如关键任务、医学成像、测试和自动化。C6678平台功耗低，使用方便。C66x CorePac DSP完全…
