DS90CR215 (正在供货)+3.3V 上升沿数据选通 LVDS 21 位 频道链接 - 66 MHzSingle +3.3V SupplyChipset (Tx + Rx) Power Consumption <250 mW (typ)Power-down Mode (<0.5 mW total)Up to 173 Megabytes/sec BandwidthUp to 1.386 Gbps Data ThroughputNarrow Bus R…
MCIMX6Q6AVT10AD MCIMX6Q6AVT10ADR i.MX 6 series 32-bit MPU, Quad ARM Cortex-A9 core, 1GHz, FCBGA 624
EVM437x开发板资料链接:https://pan.baidu.com/s/1QkvLS5An5kMbMV3lU8GiGQ密码:xsup
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480/5000 TPS65232提供一个PWM降压控制器,两个可调同步降压调节器。SMPS集成了开关场效应管,优化了电源效率,减少了外部组件的数量。所有的电源模块都有热和过电流/短路保护。TPS65232启动时间可以通过buck使能引脚控制。巴克控制器和巴克转换器有内部极点/零对,以帮…
TMS320F28377SZWTT 该 Delfino™ TMS320F2837xS 是一款功能强大的 32 位浮点微控制器单元 (MCU),针对高级闭环控制 应用 ,例如 工业电机驱动、光伏逆变器和数字电源、电动车辆与运输 以及 传感和信号处理。数字电源和工业驱动器的完整开发包作为 powerSUITE 和DesignDRI…
Zynq-7000系列基于Xilinx All Programmable SoC架构。这些产品在单个器件中集成了功能丰富的双核ARMCortex-A9处理系统(PS)和28 nm Xilinx可编程逻辑(PL)。ARM Cortex-A9 CPU是PS的核心,还包括片上存储器,外部存储器接口和丰富的外设连接接口。主要特点基于双核ARMC…
DRAM芯片DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84引脚FBGA欧盟RoHS合规 ECCN(美国)EAR99部分状态过时的HTS8542.32.00.32DRAM类型DDR2 SDRAM芯片密度(位)1G组织64Mx16内部银行数量8每个银行的字数8M位数/字(位)16数据总线宽度(位)16最大时钟频率(MHz)800最大访问时间(…
MLC NAND闪存串行e-MMC 3.3V 32G位153引脚VFBGA T / R /托盘MTFC4GACAJCN-4M是一款多媒体卡控制器和NAND闪存,采用153球FBGA封装。Zit符合JEDEC / MMC标准5.0版,具有先进的12信号接口。非易失性e.MMC无需维持存储的数据,在各种工作温度范围内提供高性能,并可抵抗冲击和…
NOR闪存串行SPI 1.8V 256M位256M / 128M / 64M x 1/2位/ 4位6ns 16引脚SOP-II T / R欧盟RoHS合规 ECCN(美国)3A991.b.1.a部分状态活性HTS8542.32.00.71细胞类型也不芯片密度(位)256M建筑扇形引导块没有地址总线宽度(位)32行业规模64Kbyte x 512页面大小256字节位数/…
NOR闪存串行SPI 1.8V 128M位128M / 64M / 32M x 1/2位/ 4位8引脚SOP-II欧盟RoHS合规 ECCN(美国)3A991.b.1.a部分状态活性HTS8542.32.00.71细胞类型也不芯片密度(位)128M建筑扇形引导块没有地址总线宽度(位)1行业规模64Kbyte x 256页面大小256字节位数/字(位)1/2/4…
NOR闪存串行SPI 3V / 3.3V 256M位32M x 8 8引脚WPDFN T / R.欧盟RoHS合规 ECCN(美国)3A991.b.1.a部分状态活性HTS8542.32.00.71细胞类型也不芯片密度(位)256M建筑扇形引导块没有阻止组织对称地址总线宽度(位)25行业规模64Kbyte x 512页面大小256字节位数/字(位)8字…
DRAM芯片DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96引脚FBGA T / R欧盟RoHS合规 ECCN(美国)EAR99部分状态过时的HTS8542.32.00.36DRAM类型DDR3L SDRAM芯片密度(位)4G组织256Mx16内部银行数量8每个银行的字数32M位数/字(位)16数据总线宽度(位)16最大时钟频率(MHz)1600地…